Toshiba Anuncia Memoria Flash con Tecnologia 32nm
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Toshiba ha mostrado una oblea de 300mm con chips de memoria Flash Nand 32-gigabit (4GB) con tecnologia 32nm en la reciente exposicion de tecnologia International Nanotechnology Exhibition & Conference.
Los chips de memoria Flash estan basados en la tecnologia 3-bit por celda, la cual le permite a la compañia almacenar mucha mas cantidad de datos en un espacio similar.
Mas alla de esto, Toshiba destaca que no ha hecho mayores cambios desde sus obleas anteriores de 43nm, las cuales utilizaban una estructura de Puerta flotante para administrar el flujo de energia.
Para hacer frente a un muy pequeño margen de escritura que se da como resultado de dividir el voltaje en ocho, Toshiba dijo que debio hacer importantes mejoras al circuito, pero no brindo mas informacion.
Al mismo tiempo, Toshiba ha mencionado que para fines de 2010 o comienzos de 2011 estara produciendo memorias con tecnologia de fabricacion en el rango de los 20-30 nanometros, aunque todavia le falta determinar si podra aplicar una estructura de puerta flotante o si debera cambiar a otra tecnologia para alcanzar el efecto.
La produccion en masa de las memorias de 32nm por parte de Toshiba comenzaria en Septiembre de 2009.
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