Samsung Presento Nueva Memoria DRAM con Tecnologia 40nm
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Samsung Electronics anuncio este miercoles sus planes de comenzar a vender un nuevo chip de memoria DRAM construido con su nueva tecnologia de 40 nanometros para fines de 2009, el cual se espera que utilice una considerable menor cantidad de energia, y brinde 60 por ciento mas productividad que su recientemente lanzada memoria DDR3 con tencologia 50nm.
Samsung esta lanzando su tecnologia de proxima generacion en un intento de expandir su liderazgo en un mercado que esta sufriendo una de sus peores crisis de la historia.
Samsung y sus rivales en la carrera tecnologica se estan moviendo lo mas rapido posible hacia el desarrollo de circuitos que aumenten el consumo de energia, incrementen la capacidad de memoria, y diminuyan lo mas posible los precios.
Con el reciente anuncio, Samsung asegura que es la primera compañia en la industria que fabricara memorias DRAM con tecnologia 40nm, lo que equivale a 40 mil millonesimas de un metro.
Los componentes incluyen un chip de 1Gb DDR2 y uno de 1GB, 800-Mbps DDR2 SODIMM. Estos chips han sido validados para ser usados con placas para dispositivos moviles Intel GM45 Express.
Samsung esta planeando usar su tecnologia 40nm para la produccion en masa de una memoria DDR3 de 2Gb para fines de este año. Tambien fabricara memorias mas economicas con tecnologia 40nm, como componentes DDR2 en 2010.
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[...] interesante de estas memorias es que se desarrollan a partir de la tecnología 40nm, en la que, a su vez, se combinan un total de dos tecnologías más: SLC (Single Level Cell) y MLC [...]
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